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DDR5時代已經來臨!仿真幫你應對新的設計挑戰

2020年2月6日,美光科技宣布交付全球首款量產的低功耗DDR5 DRAM 芯片,隨后,三星S20系列和小米10系列手機先后發布,全新的LPDDR5內存成為兩家的共同賣點之一,這也預示著DDR5的時代即將到來。今天我們就來聊一聊DDR5的發展過程,設計難題以及如何通過仿真來應對DDR5設計挑戰。


本文主要目錄:

01. DDR技術的發展歷程

02. DDR5的出現,帶來了哪些設計挑戰?

03. 如何通過仿真及建模中的創新克服DDR5技術挑戰

04. DDR5仿真解決方案

05. DDR5仿真實例


01DDR技術的發展歷程


在計算機和移動設備中,DDR是數據的緩沖區,CPU所需訪問與處理的數據幾乎都會經過這里。與此同時,除了暫存CPU運算數據,DDR還需要承擔與外部儲存器交互數據的使命。隨著CPU處理能力的不斷提高,對DDR的速度和容量的要求也在不斷地提升。

從DDR的發展圖中可以看到,DDR的傳輸速率在成倍提升,而其迭代速度也在不斷加快。

如今,占據著主流市場的是從2014年底開始上市的DDR4。較低的工作電壓以及最高可達4266MT/s的傳輸速率,使其達到前代DDR3三倍速率的同時,擁有更低的功耗。

但是,隨著CPU的核數不斷增多,內存的性能又將成為新的瓶頸。因此JEDEC協會早在2017年就開始和各大SDRAM廠商協作,著手起草DDR5標準,DDR5技術規范草案和LPDDR5的更新標準都已公布,不過至今還未推出正式版本。


目前而言,DDR5的最高速率預計可以達到8.4GT/s,是DDR4的兩倍。同時,工作電壓也從1.2V降低到了1.1V,這也意味著DDR5在性能提高的同時,進一步降低了功耗。


02 DDR5的出現,帶來了哪些設計挑戰?


DDR5的速率最高超過8.4GT/s,達到了前代DDR4最高速率的兩倍。更高的速率,帶來出色性能的同時,不可避免的提升了設計的困難。


挑戰1:串擾(Crosstalk)


DDR信號較多,走線較為密集,隨著信號速率的增加,傳輸線之間的串擾也會隨之增加。此外,DDR顆粒的引腳布局,往往多個信號附近只有一個GND引腳,這就使得這些信號需要共用同一個返回路徑,更加增加了相互干擾的風險。

在圖中不難發現,單一傳輸線之間的串擾都在-25dB以下,這個是相對不錯的結果。然而,即使如此,在觀察眼圖時可以發現,串擾較為嚴重地減小了眼圖地張開程度。這就意味著,單獨從單一傳輸線的串擾角度上,并不能確切的得到串擾真實造成的影響,這給設計過程中,帶來了困難。


挑戰2:抖動(Jitter)


除了串擾外,抖動也是不能被忽視的問題。



在上圖可以看到,僅僅考慮隨機抖動后,眼圖的時間裕量就減小47%(27ps)。這意味著,如果忽視了抖動的影響,很容易對設計的質量的評估過優,最后造成實際產品的失敗。


挑戰3:碼間干擾(ISI)及均衡(Equation)


由于傳輸線的頻率選擇特性,頻率越高,傳輸線的插入損耗也會隨之增加,信號的衰減和碼間干擾的現象也會更加嚴重。



圖中傳輸線在1.2GHz時插損約在-10dB左右,而上升到3.2GHz后,插損達到了-30dB。對比眼圖可以發現,6.4Gbps時,由于ISI和衰減,眼圖已經完全閉合。



為此,DDR5引入了可調增益以及判決反饋均衡器(DFE),減小ISI對相鄰bit的影響,用以改善眼圖閉合的情況。



與SERDES中使用的DFE不同的是,在SERDES中,DFE的時鐘信息可以由信號本身通過時鐘恢復獲得。而在DDR5中,由于DQ信號是通過DQS信號觸發的,所以需要將DQS作為時鐘信號,加入到DFE中去。最后形成的是雙輸入,單輸出的DFE。


挑戰4:測試方法



低誤碼率:

在DDR5的協議草案中,要求在測試時系統的誤碼率要在10e-16以下,及最少需要5.3e9個UI,才能保證99.5%的置信水平。無論是在測試,還是仿真中,如此多的bit數都需要花費大量的時間。

虛擬探針:

由于DDR5引入了均衡器,所以最終的接受信號是經過均衡后的得到的結果。但是在測試時,往往只能直接測量到芯片BGA封裝上的信號波形。所以,需要通過軟件仿真或推測模擬出封裝以及均衡器的影響,再通過一個虛擬探針,獲得最后的波形進行分析。



Loop-back模式:

在DDR5芯片中,有一個RCD接口,可以將最后經過均衡處理的數據輸出。測試時可以利用這個接口,將輸入的信號與最后RCD 接口輸出的信號進行對比,獲得整個系統的誤碼率。



03如何通過仿真及建模中的創新克服DDR5技術挑戰?


相對于測試而言,仿真能在較前期對設計進行評估,幫助工程師及時優化設計。這對減少產品風險以及因迭代優化產生的時間和成本有很大的幫助。同時,由于仿真允許在電路的任意節點檢測信號質量,也不存在DDR5測試過程中無法直接測量到均衡后信號的問題。


同時,針對DDR5這樣一個新的協議規則,在仿真中也必須要針對之前提到的一些挑戰做出一些創新。

通道仿真


正如上文提到的,DDR5協議草案中,有低誤碼率的要求。如果使用傳統的瞬態算法,就需要將5.3e9個bit逐一卷積計算,這將花費大量的時間,與仿真盡早,快速評估設計的初衷不符,也往往很難實現。 為此,在DDR5的仿真中,就必須使用類似于廣泛應用于SERDES仿真當中的通道仿真技術。傳統適用于SERDES的通道仿真分成兩種模式,其一是逐bit模式(bit-by-bit),這種方式會得到單個bit的階躍響應,在通過仿真器根據輸入的bit序列,將對應的階躍響應進行疊加。而另一種則是統計模式(statistical),即整個系統的響應,包括抖動,串擾,均衡等,都是基于單個bit的階躍響應,根據概率密度分布結果,經過數據后處理獲得。由于DDR信號多為單端信號,與SERDES的差分信號不同。因此,應用在DDR上的通道仿真技術,還需要有一些改動。首先是通道仿真技術所需要的階躍響應。差分信號的上升沿與下降沿是對稱的,因此只需要獲得單一的階躍響應進行通道仿真。而對于單端信號而言,上升時間和下降時間不再相同,這就意味著需要同時獲得上升和下降兩個階躍響應,同時,仿真器需要在信號上升和下降時使用對應階躍響應進行計算。




其次是時鐘問題。SERDES信號往往是通過時鐘恢復電路(CDR),從信號本身恢復出時鐘信號。而DDR則不同,DQ信號由DQS信號觸發。這就需要仿真器具有時鐘觸發的功能。否則,如果依舊使用DQ信號本身進行時鐘恢復的話,會造成時域的偏移。下圖中,紅色部分為DQ時鐘恢復后結果,藍色為DQ由DQS觸發后的結果。可以看到,兩個結果在時間上存在一個偏移量。



最后是關于DDR的write-leveling功能。Write-leveling允許設備調整ClK信號與DQS信號之間的時間差。如果仿真器不能實現這個功能,會帶來不必要的調整。



在這里需要注意的是,如果需要使用Rx端DFE的自適應模式,必須在bit-by-bit模式下進行仿真。而statistical模式下,只支持固定抽頭系數的仿真。

所以,如果需要仿真自適應DFE下的低誤碼率結果,可以首先使用bit-by-bit模式仿真足夠長的比特數,得到穩定的DFE系數。再使用statistical模式,讀入之前的抽頭系數進行仿真。

在ADS2015中,基于通道仿真技術改進而來的DDR BUS仿真器就已經被應用到DDR仿真中,并在更新中不斷完善,以應對DDR5仿真帶來的挑戰。


IBIS-AMI模型


在前代的DDR仿真中,IBIS模型已經得到了廣泛的應用。而DDR5與之前協議的一個很大的差別,就是需要在Rx使用可調增益和DFE的均衡方式對接收到的數據進行處理。這就給了IBIS-AMI模型發揮的舞臺。


IBIS-AMI模型不僅可以在保護IP的前提下滿足各種均衡的需要,而且作為一個通用模型,能在各種工具中進行使用。


當然,雖然IBIS-AMI模型已經在SERDES信號中被廣泛使用。但是這畢竟是第一次應用在單端信號中,有一些部分需要改進。



首先是直流偏置的問題。差分信號不存在直流偏置,因此在使用單端的IBIS-AMI模型進行均衡計算時,直流偏置必須可以通過算法解決。


第二點便是DQS提供時鐘信號的問題了。在前文中介紹過,DDR5的DFE均衡需要DQS提供時鐘信號。這就意味著,DDR5的IBIS-AMI模型,不僅需要有DQ信號的輸入端,還需要DQS信號的輸入,才能恢復出符合要求的信號。


在ADS2020 Update1中,Memory Designer已經支持IBIS-AMI模型在DDR5仿真中的應用,可以使用IBIS-AMI模型對于DDR5的均衡效果進行仿真。


04 DDR5仿真解決方案



針對之前提到的所有挑戰與創新,如上表所示,Keysight Pathwave平臺的SystemVue,ADS Memory Designer以及ADS SIPro提供了完整的解決方案。(以下案例中使用了Intel提供的IBIS-AMI模型)


SystemVue


SystemVue是一款被廣泛應用于AMI建模的軟件。用戶可以使用SystemVue中包含的通用算法模塊,快速的構建所需的均衡模型,同時完成AMI模型的編譯和仿真驗證。將原來可能需要花費一整年的AMI建模周期縮短到原有的四分之一。



首先,針對直流偏置,在BIRD197.7中,引入了一個新的參數DC_Offset來表示直流偏置。該參數作為一個固定值由EDA軟件定義。在處理波形時,就將DQ信號的直流分量進行抵消,從而保證進入Rx均衡算法中的是中心電壓為0V的波形。



在另一方面,針對DQ信號的DFE需要以DQS作為時鐘的問題,Keysight與Intel協作,一同提出了一個新的雙輸入單輸出的時域波形處理(getwave)函數long AMI_GetWave2()。使用該函數處理時域波形時,可以同時考慮DQ和DQS的輸入。保證在DFE均衡的時候,能夠從DQS中獲取時鐘信號進行計算。



Keysight Pathwave SystemVue可以提供完整的DDR5 AMI 建模解決方案,同時也是唯一一個能夠提供long AMI_GetWave2() 以支持DQ和DQS雙輸入的建模工具。


ADS SIPro


ADS SIPro是一款專用于PCB仿真的EM仿真工具。針對引腳眾多的DDR信號,SIPro中內置了DDR設置向導,可以幫助用戶快速進行DDR仿真設置。



用戶只需要選擇控制器及內存模塊,相應的網絡就會由軟件自動篩選提取。用戶勾選需要仿真的網絡名后,對應的仿真設置便會自動生成。整個過程只需要一分鐘左右的時間。


此外,SIPro可以快速準確的提取PCB信號的S參數,可信頻率高達40GHz。對于DDR中常見的共用返回路徑的情況,SIPro通過算法識別過孔區域,使用三維電磁場算法FEM,精確提取由此產生的串擾,保證仿真精度。


Memory Designer


ADS Memory Designer是ADS中專門針對DDR仿真定制的組件。其目的就是減小DDR仿真的復雜度,同時保證DDR仿真的效率和精度。


在Memory Designer中,只需要一張原理圖便可以分別進行通道和瞬態仿真。而由于總線形式的使用,則將傳統設置方法所需的數小時,縮減至數分鐘,同時也減小了設置錯誤的風險。



此外,Memory Designer中的DDR BUS仿真器,可以根據信號的上升與下降,使用對應的階躍響應,獲得正確的波形。如下圖所示,DDR BUS仿真器在上升沿與下降沿不對稱的情況下,有很高的精確度。



另一方面,基于Keysight成熟的通道仿真算法,DDR BUS仿真器可以根據AMI模型中的均衡算法,對信號進行均衡,同時可以準確預測在低誤碼率情況下的抖動對信號的影響。在下圖中也可以發現,當DQ與DQS存在時間差時,會造成眼圖的偏移。





05 ADS DDR5仿真實例


圖中顯示了在ADS Memory Designer環境中DDR5基本的仿真結構,所有信號以總線形式連接,設置過程只需要短短幾分鐘。其中控制器和內存模塊都使用了IBIS-AMI模型,并且允許對AMI模型中的參數進行編輯。



圖中顯示了DDR5在ADS Memory Designer 中的仿真結果。可以發現,經過AMI模型中均衡算法處理的DQ信號,眼圖張開程度明顯增加。


以上介紹了DDR5帶來的挑戰,以及為了應對這些挑戰,Keysight Pathwave做出的創新與應對。

Keysight Pathwave平臺提供了完整的DDR5仿真流程及解決方案,是輔助DDR5設計,降低風險的不二選擇。

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