直流I-V 測試是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用I-V 特性分析，或I-V 曲線，來決定器件的基本參數。新材料和器件對I-V 測試設備提出了更高的需求，要求具備更低的測試分辨率，更寬的功率范圍，具備四象限操作能力，以及更快的測試速度等。交流C-V 測試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流C-V 測試方式來評估新工藝，材料，器件以及電路的質量和可靠性等。交流C-V 測試要求測試設備滿足寬頻率范圍的需求，同時連線簡單，系統易于搭建，并具備系統補償功能，以補償系統寄生電容引入的誤差。

進行C-V 測量時，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時利用一個交流信號進行測量。一般這類測量中使用的交流信號頻率在10KHz 到10MHz 之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流，從而計算出不同電壓下的電容值。

功率器件 IV、CV 特性測試方案，提供I-V 和C-V綜合測試解決方案，10fA 的DC 測量精度， 高達10MHz 的C-V 測試頻率。在C-V 測試方案中，同時集成了美國吉時利公司源測量單元（SMU）和溪谷科技針對CV 測試設計的專用精密LCR 分析儀，既可以在低頻范圍內完成功率器件的準靜態C-V 測試，也可以進行高達10MHz 的高頻C-V 測試。

MOS 電容的準靜態C-V 特性測試方案

系統結構

系統主要由兩臺源表、四寸探針臺和上位機軟件組成，主要用于低頻率(10Hz 以下) C-V 特性測試。

在測試中，一臺源表對待測件的一端輸出恒定電流，并測量電壓值記錄時間。另一臺源表用于測量待測件另一端的電流值。

通過使用公式 I = C * dV/dt，或者 C = I / (dV/dt)，可以計算出相應的電容值。這種方式適用于在 0.1 ～1V/s 的電壓斜率下測量 100 ～ 400pF 電容值。

MOS 電容的高頻 C-V 特性測試方案

系統結構

系統主要由源測量單元、LCR 表、探針臺和上位機軟件組成。LCR 表通常支持的測量頻率范圍在30MHz以內。源測量單元或電源負責提供可調直流電壓偏置。

LCR 表測試交流阻抗的方式是在 HCUR 端輸出交流電流，在 LCUR 端測試電流，同時在 HPOT 和 LPOT端測量電壓值。電壓和電流通過鎖相環路同步測量，可以精確地得到兩者之間的幅度和相位信息，繼而可以推算出交流阻抗參數。