近日，中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光物理聯合實驗室提出一種利用非線性光學技術測量材料線性電光系數的新方法，精確測得了K(H1-xDx)2PO4晶體電光系數與氘化率的關系曲線。相關工作發表于《光學快報》（Optics Express）。

現有的電光系數測量方法主要基于線性光學效應，激光傳輸過程中偏振態的保持對其測量精度有決定性的影響。為此，研究人員提出一種基于二階非線性光學技術的電光系數測量方法，該方法只與非線性材料中的非線性光學過程有關，與其他傳輸過程無關，因而解決了測量精度受限于偏振態保持的問題。基于這一方法，對六種不同氘化率DKDP晶體的電光系數進行精確測量，得到K(H1-xDx)2PO4晶體的電光系數與氘化率的關系，并系統研究了KDP家族晶體四次諧波產生特性，為深紫外激光的產生提供了重要參考。該方法的提出為非線性光學材料基本參數的測量提供了新思路。

圖 K(H1?xDx)2PO4晶體（a）基于非臨界相位匹配FHG的電光系數測量方案 （b）基于電光調制相位匹配的FHG特性 （c）線性電光系數