新一代寬帶寬功率放大器設(shè)計(jì)
來源：儀器儀表商情網(wǎng)
發(fā)布時(shí)間：2015-12-04
編輯：Stanford
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【儀器儀表商情網(wǎng) 前沿技術(shù)】在本文中，我們將比較和對(duì)比兩種不同的寬帶高效功率放大器設(shè)計(jì)技術(shù)。一種設(shè)計(jì)采用一種非均勻分布式放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，完全集成于一個(gè)MMIC之中，其輸入和輸出匹配至50 Ω。另一種設(shè)計(jì)采用混合式設(shè)計(jì)技術(shù)，在封裝中集成了橋接-T輸入匹配MMIC。
功率放大器是構(gòu)建新一代通信系統(tǒng)的核心組件，這類通信系統(tǒng)需要超寬的帶寬以支持高數(shù)據(jù)速率。為了設(shè)計(jì)一款高效的功率放大器，晶體管必須工作于開關(guān)模式之下，并且/或者具有反射端接諧波。然而，為了能在一個(gè)以上倍頻程帶寬下正常工作，在較低頻率下，諧波端應(yīng)在帶內(nèi)。此外，Bode-Fano帶寬理論認(rèn)為，對(duì)于給定的復(fù)合負(fù)載，可實(shí)現(xiàn)帶寬存在一個(gè)基本限值，該限值會(huì)降低目標(biāo)負(fù)載阻抗，進(jìn)一步偏離高效條件。
在本文中，我們將比較和對(duì)比兩種不同的寬帶高效功率放大器設(shè)計(jì)技術(shù)。一種設(shè)計(jì)采用一種非均勻分布式放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，完全集成于一個(gè)MMIC之中，其輸入和輸出匹配至50 Ω。另一種設(shè)計(jì)采用混合式設(shè)計(jì)技術(shù)，在封裝中集成了橋接-T輸入匹配MMIC。本文將首先簡(jiǎn)要描述電路制造工藝，然后逐一展示和討論各種設(shè)計(jì)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
器件技術(shù)和工藝
這里使用的AlGaN/GaN HEMT器件基于TriQuint的0.25 μmGaN工藝TQGaN25，采用100mm SiC晶圓制成。這是一種TriQuint推出的大規(guī)模制造技術(shù)。在PAE匹配條件下，一個(gè)四指100μm柵極寬度晶體管(偏置電壓：Vd=40V，Id=100 mA/mm)的典型功率密度為5.5W/mm，10GHz時(shí)的PAE為60%。
A.電路設(shè)計(jì)
為了實(shí)現(xiàn)最高的功率和效率，我們選擇了非均勻分布式功率放大器(NDPA)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。NDPA不是以50Ω的阻抗端接漏極線路，而是采用了漸變傳輸線。為每條傳輸線路選擇特定的寬度，以便為每個(gè)單元提供最佳負(fù)載。在某些情況下，各個(gè)單元的器件尺寸也采用漸變?cè)O(shè)計(jì)。
由于目標(biāo)工作頻率為30MHz至2.7GHz，所以，我們選擇了5-單元設(shè)計(jì)，器件總周長(zhǎng)為2.4mm，以實(shí)現(xiàn)功率、增益、帶寬和芯片尺寸的平衡。隨后，我們計(jì)算出了各單元的器件尺寸和傳輸線路阻抗。結(jié)果如表1所示。第一個(gè)單元的尺寸為1.2mm，其目的是實(shí)現(xiàn)功率和效率的最大化。其余單元尺寸相等，均為0.3mm。請(qǐng)注意，在表1中，有一列為各個(gè)單元的漏電流(Id)。該電流表示器件的最大驅(qū)動(dòng)電流，設(shè)定了輸出走線的最小寬度。
表I:5單元NDPA的計(jì)算結(jié)果
圖1：10W高效分布式放大器MMIC示意圖。芯片的總尺寸2.4 mm×1.8mm。
MMIC成品如圖1所示。芯片的最終尺寸為2.4mm×1.8mm。為了支持最低30MHz的工作頻率，我們選擇了片外偏置選項(xiàng)。這種設(shè)計(jì)的一個(gè)特點(diǎn)是在第一單元輸出端使用了線圈。請(qǐng)參考前面的表1，處理450mA電流所需的最小寬度為30μm。然而，在100μm厚的SiC基板上，寬30μm線路的典型阻抗只有76Ω，離最佳負(fù)載100Ω還有很大的差距。然而，線圈實(shí)際上會(huì)通過互耦合的方式增大線路的有效阻抗，仿真條件下，該線路的阻抗為105Ω。這樣就可以實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行。
B. MMIC測(cè)量值
我們把MMIC成品焊接在一塊厚40密耳的CuMo承板上，同時(shí)把RO4003板裝在MMIC周圍，以便進(jìn)行評(píng)估。我們對(duì)電路板上的50?走線進(jìn)行了去嵌入處理，使測(cè)量參考平面位于焊線的末端。如圖2所示，在30MHz至2.7GHz范圍內(nèi)，典型增益為20dB，并且在相同頻率范圍內(nèi)，輸入和輸出回波損耗為10dB或更低。
圖2：NDPA的實(shí)測(cè)小信號(hào)S參數(shù)值。MMIC在偏置于30V，360mA。
圖3：分布式放大器的實(shí)測(cè)Pout和PAE值。放大器以27dBm的恒定輸入功率驅(qū)動(dòng)，偏置電壓Vd=30V，偏置電流Idq=360mA。
大信號(hào)測(cè)量值表明，結(jié)果良好。圖3所示為MMIC在整個(gè)頻率范圍內(nèi)，在27dBm的恒定輸入功率(這相當(dāng)于約5dB的壓縮值)下的輸出功率和PAE。當(dāng)漏極電壓為30V時(shí)，MMIC在不超過2.5GHz的整個(gè)頻率范圍內(nèi)可產(chǎn)生大于10W的輸出功率，在不超過2.7GHz的范圍內(nèi)，可產(chǎn)生8W或以上的輸出功率(功率密度超過4 W/mm)，并且在整個(gè)頻段，PAE均優(yōu)于52%。在500MHz以下，MMIC可實(shí)現(xiàn)近70%的PAE。如此高的PAE源于第一個(gè)單元加載了高阻抗。請(qǐng)注意，這里展示的功率和PAE測(cè)量值只是在基頻輸出功率條件下得到的結(jié)果，不得用于計(jì)算功耗。要計(jì)算功耗，我們必須使用總功率，包括諧波下的所有功率。
功率放大器是構(gòu)建新一代通信系統(tǒng)的核心組件，這類通信系統(tǒng)需要超寬的帶寬以支持高數(shù)據(jù)速率。為了設(shè)計(jì)一款高效的功率放大器，晶體管必須工作于開關(guān)模式之下，并且/或者具有反射端接諧波。然而，為了能在一個(gè)以上倍頻程帶寬下正常工作，在較低頻率下，諧波端應(yīng)在帶內(nèi)。此外，Bode-Fano帶寬理論認(rèn)為，對(duì)于給定的復(fù)合負(fù)載，可實(shí)現(xiàn)帶寬存在一個(gè)基本限值，該限值會(huì)降低目標(biāo)負(fù)載阻抗，進(jìn)一步偏離高效條件。
在本文中，我們將比較和對(duì)比兩種不同的寬帶高效功率放大器設(shè)計(jì)技術(shù)。一種設(shè)計(jì)采用一種非均勻分布式放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，完全集成于一個(gè)MMIC之中，其輸入和輸出匹配至50 Ω。另一種設(shè)計(jì)采用混合式設(shè)計(jì)技術(shù)，在封裝中集成了橋接-T輸入匹配MMIC。本文將首先簡(jiǎn)要描述電路制造工藝，然后逐一展示和討論各種設(shè)計(jì)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
器件技術(shù)和工藝
這里使用的AlGaN/GaN HEMT器件基于TriQuint的0.25 μmGaN工藝TQGaN25，采用100mm SiC晶圓制成。這是一種TriQuint推出的大規(guī)模制造技術(shù)。在PAE匹配條件下，一個(gè)四指100μm柵極寬度晶體管(偏置電壓：Vd=40V，Id=100 mA/mm)的典型功率密度為5.5W/mm，10GHz時(shí)的PAE為60%。
分布式放大器設(shè)計(jì)
A.電路設(shè)計(jì)
為了實(shí)現(xiàn)最高的功率和效率，我們選擇了非均勻分布式功率放大器(NDPA)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。NDPA不是以50Ω的阻抗端接漏極線路，而是采用了漸變傳輸線。為每條傳輸線路選擇特定的寬度，以便為每個(gè)單元提供最佳負(fù)載。在某些情況下，各個(gè)單元的器件尺寸也采用漸變?cè)O(shè)計(jì)。
由于目標(biāo)工作頻率為30MHz至2.7GHz，所以，我們選擇了5-單元設(shè)計(jì)，器件總周長(zhǎng)為2.4mm，以實(shí)現(xiàn)功率、增益、帶寬和芯片尺寸的平衡。隨后，我們計(jì)算出了各單元的器件尺寸和傳輸線路阻抗。結(jié)果如表1所示。第一個(gè)單元的尺寸為1.2mm，其目的是實(shí)現(xiàn)功率和效率的最大化。其余單元尺寸相等，均為0.3mm。請(qǐng)注意，在表1中，有一列為各個(gè)單元的漏電流(Id)。該電流表示器件的最大驅(qū)動(dòng)電流，設(shè)定了輸出走線的最小寬度。
表I:5單元NDPA的計(jì)算結(jié)果
圖1：10W高效分布式放大器MMIC示意圖。芯片的總尺寸2.4 mm×1.8mm。
MMIC成品如圖1所示。芯片的最終尺寸為2.4mm×1.8mm。為了支持最低30MHz的工作頻率，我們選擇了片外偏置選項(xiàng)。這種設(shè)計(jì)的一個(gè)特點(diǎn)是在第一單元輸出端使用了線圈。請(qǐng)參考前面的表1，處理450mA電流所需的最小寬度為30μm。然而，在100μm厚的SiC基板上，寬30μm線路的典型阻抗只有76Ω，離最佳負(fù)載100Ω還有很大的差距。然而，線圈實(shí)際上會(huì)通過互耦合的方式增大線路的有效阻抗，仿真條件下，該線路的阻抗為105Ω。這樣就可以實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行。
B. MMIC測(cè)量值
我們把MMIC成品焊接在一塊厚40密耳的CuMo承板上，同時(shí)把RO4003板裝在MMIC周圍，以便進(jìn)行評(píng)估。我們對(duì)電路板上的50?走線進(jìn)行了去嵌入處理，使測(cè)量參考平面位于焊線的末端。如圖2所示，在30MHz至2.7GHz范圍內(nèi)，典型增益為20dB，并且在相同頻率范圍內(nèi)，輸入和輸出回波損耗為10dB或更低。
圖2：NDPA的實(shí)測(cè)小信號(hào)S參數(shù)值。MMIC在偏置于30V，360mA。
圖3：分布式放大器的實(shí)測(cè)Pout和PAE值。放大器以27dBm的恒定輸入功率驅(qū)動(dòng)，偏置電壓Vd=30V，偏置電流Idq=360mA。
大信號(hào)測(cè)量值表明，結(jié)果良好。圖3所示為MMIC在整個(gè)頻率范圍內(nèi)，在27dBm的恒定輸入功率(這相當(dāng)于約5dB的壓縮值)下的輸出功率和PAE。當(dāng)漏極電壓為30V時(shí)，MMIC在不超過2.5GHz的整個(gè)頻率范圍內(nèi)可產(chǎn)生大于10W的輸出功率，在不超過2.7GHz的范圍內(nèi)，可產(chǎn)生8W或以上的輸出功率(功率密度超過4 W/mm)，并且在整個(gè)頻段，PAE均優(yōu)于52%。在500MHz以下，MMIC可實(shí)現(xiàn)近70%的PAE。如此高的PAE源于第一個(gè)單元加載了高阻抗。請(qǐng)注意，這里展示的功率和PAE測(cè)量值只是在基頻輸出功率條件下得到的結(jié)果，不得用于計(jì)算功耗。要計(jì)算功耗，我們必須使用總功率，包括諧波下的所有功率。
