近年來，航裕電源一直十分關注功率半導體器件的測試需求，并帶來多款高性能的可編程高壓直流電源，為功率半導體器件測試提供高穩精準的測試供電。近期，航裕電源與青銅劍技術攜手合作，帶來功率器件動態參數測試系統解決方案。
功率器件動態特性高效測試系統
青銅劍技術是中國功率器件驅動行業的開拓者，公司獲批廣東省大功率電力電子核心器件與高端裝備工程技術研究中心，完成了多項國家、省、市科技計劃項目，成功研發中國首款大功率IGBT驅動ASIC芯片，推出IGBT標準驅動核、即插即用型驅動器、成套驅動方案、驅動電源、隔離驅動IC、驅動芯片組、功率器件動態參數測試系統等。
為了適應碳化硅材料耐高壓的特性，青銅劍技術選擇采用航裕電源HY-HV系列可編程高壓直流電源為其QTJT-D 系列功率器件動態參數測試系統進行測試供電，高壓范圍2kV、5kV、10kV、20kV...200kV 可選，全面覆蓋SiC器件測試需求。
QTJT-D 系列 測試范圍：
■ IGBT/SiC器件的單管、模塊、IPM/功率模組的動態參數測試
QTJT-D 系列 可測試參數：
■測試電壓：10~1700V/10~6500V
■測試電流(峰值)：20~6000A(10000A,10μs)
■雜散電感<10nH(需特殊定制,僅測試工裝雜感)
■門極電阻：手動調整0~100Ω(可選配自動調整)
■門極電壓調節范圍負壓:-15V-0V,正壓:0V~+25V
■門極電壓精度：±0.1V
■脈沖信號形式：單/雙脈沖、多脈沖
■脈沖信號寬度：0.1μs~1000μs,分辨率0.02μs,精度±0.1μs
■負載電感:10μH/50μH.../1000μH,8檔自動可調，精度±5μH;可選配置
■遠程通訊:LAN/USB
■溫控裝置:溫度控制范圍:常溫~200℃,精度±2℃;可選配低溫測試、溫度范圍等
■安全防護:過流過壓保護，防觸電漏電保護，高壓互鎖，快速放電，三色警示燈，急停等
干貨分享：SIC器件動態測試
功率器件中的碳化硅器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。
目前常用的碳化硅功率半導體器件開通關斷速度都較快，這對柵極可靠性提出了更高的要求。但是由于碳化硅材料的物理特性，導致柵級結構中的柵氧層缺陷數量較多，致使碳化硅器件柵極早期失效率相比硅器件較高，限制了其商業化發展。為提高碳化硅mosfet器件柵級工作壽命，需要對碳化硅功率半導體器件進行基于柵極的測試，在將碳化硅功率半導體器件壽命較低的器件篩選出來，提高碳化硅功率半導體器件的使用壽命。
SiC功率器件的電學性能測試主要包括靜態、動態、可靠性、極限能力測試等，其中，動態測試主要是測試 SiC 器件在開通關斷過程中的性能。
通常我們希望的功率半導體器件的開關速度盡可能得高、開關過程損耗小。但是在實際應用中，影響開關特性的參數有很多，如續流二極管的反向恢復參數，柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在，所以針對于此類參數的測試，變得尤為重要。開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性。直接影響變換器的性能。因此準確的測量功率半導體器件的開關性能具有極其重要的意義。
航裕電源與青銅劍
航裕電源自2011年成立以來，不斷打磨電源研發制造技術，深入了解客戶需求,擁有豐富的功率器件測試服務經驗。青銅劍技術深耕功率器件驅動領域十余年，推出的功率器件動態參數測試系統受到客戶的廣泛認可和肯定。此次雙方強強聯合，充分發揮各自的優勢，實現資源共享和互補，將為廣大用戶帶來更加優質、便捷的電源測試產品和服務，共同開創電力電子領域的新篇章。
HY-HV系列可編程高壓直流電源
HY-HV系列可編程高壓直流電源一直以來備受用戶肯定，也是航裕電源的主營產品。近年來，用戶對于高壓需求的不斷提高，航裕電源今年已交付多臺HY-HV可編程高壓直流電源，包括120kV、170kV等，拓寬HY-HV系列電源的高壓范圍至200kV，以滿足離子加速、超導試驗、高壓電容充放電、功率半導體、X射線系統、激光器、逆變器及高能物理研究等高壓測試需求。
